Керамические подложки из карбида кремния (SiC)
Основные технические характеристики
- Тип: керамическая подложка
- Материал: карбид кремния SiC
- Цвет: тёмно-серый
- Плотность: ~3,1 g/cm3
- Максимальная рабочая температура: 1600℃
- Водопоглощение: 0%
- Теплопроводность: ~120 W/m·°K
|
Технический параметр |
Единица измерения |
SSiC (спечённый) |
RBSiC / SiSiC (реакц.-спечённый) |
|
Максимальная температура использования |
℃ |
1600 |
1380 |
|
Плотность |
g/cm3 |
3,10–3,15 |
3,02–3,10 |
|
Водопоглощение |
% |
0 |
0 |
|
Твёрдость |
GPa |
~25 |
~22 |
|
Предел прочности на изгиб |
MPa |
350–450 |
250–350 |
|
Предел прочности на сжатие |
MPa |
~2500 |
~2200 |
|
Вязкость разрушения |
MPa·m½ |
~4,0 |
~4,0 |
|
Теплопроводность |
W/m·°K |
110–125 |
120–160 |
|
Термостойкость (ΔT) |
°C |
~350 |
~300 |
|
Электрические свойства |
— |
полупроводник (не диэлектрик) |
полупроводник (не диэлектрик) |
Значения типовые, уточняются под конкретную марку и партию. Карбид кремния — полупроводник, поэтому под токоведущую разводку подложке нужен изолирующий слой; как теплоотводящее основание работает без него.
